Η υψηλή επιφάνεια αξιοπιστίας τοποθετεί τη δίοδο 2.4-75V BZX84C2V4-BZX84C75 Zener

Όλα τα Προϊόντα

Δίοδος θερμικών αντιστάσεων (17)

DIAC δίοδος ώθησης (13)

Δίοδος διορθωτών γενικού σκοπού (25)

Δίοδος Zener (31)

Παροδική δίοδος καταπιεστών τάσης TV (10)

δίοδος υψηλής τάσης (11)

Δίοδος SIDAC (10)

γρήγορη δίοδος διορθωτών αποκατάστασης (17)

εξαιρετικά γρήγορη δίοδος διορθωτών αποκατάστασης (10)

δίοδος διορθωτών υψηλής αποδοτικότητας (10)

δίοδος μετατροπής υψηλής ταχύτητας (23)

Δίοδος Schottky φράγμα (39)

μικρή schottky δίοδος σημάτων (16)

Διορθωτής γεφυρών διόδων (22)

Θερμική αντίσταση NTC (16)

Κίνα Wuxi Xuyang Electronics Co., Ltd. Πιστοποιήσεις

Είμαι Online Chat Now

Η υψηλή επιφάνεια αξιοπιστίας τοποθετεί τη δίοδο 2.4-75V BZX84C2V4-BZX84C75 Zener

Μεγάλες Εικόνας : Η υψηλή επιφάνεια αξιοπιστίας τοποθετεί τη δίοδο 2.4-75V BZX84C2V4-BZX84C75 Zener

Λεπτομέρειες:

Τόπος καταγωγής:	Κίνα
Μάρκα:	XUYANG
Πιστοποίηση:	ISO9001/RoHS
Αριθμό μοντέλου:	BZX84C2V4 - BZX84C75

Πληρωμής & Αποστολής Όροι:

Ποσότητα παραγγελίας min:	3000pcs
Τιμή:	negotiation
Συσκευασία λεπτομέρειες:	ταινία στο εξέλικτρο, 3000pcs/box
Χρόνος παράδοσης:	5-7 εργάσιμες ημέρες
Όροι πληρωμής:	Μ / Τ, Western Union
Δυνατότητα προσφοράς:	500000pcs ανά momth

Επικοινωνία

Λεπτομερής Περιγραφή Προϊόντος

μέρος αριθμού:	BZX85C2V7 - BZX85C75	Τάση:	2.4-75V
Ανοχή:	±5%	συσκευασία:	Μέθυσος-23
Αμόλυβδη θέση:	Αμόλυβδος/RoHS	Να στείλει κοντά:	Θάλασσα DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \
Υψηλό φως:	diode zener 12v , surface mount diode

2.4V-75V η επιφάνεια τοποθετεί τη δίοδο BZX84C2V4 Zener μέσω BZX84C75 με τη συσκευασία μέθυσος-23

Χαρακτηριστικά γνωρίσματα

1. Υψηλή αξιοπιστία
2. Ευρεία σειρά τάσης διαθέσιμη
3. Χαμηλό αντίστροφο τωρινό επίπεδο
4. Μικρή συσκευασία περιλήψεων για τη διαστημική αποταμίευση
5. Η επιφάνεια τοποθετεί τη συσκευασία

Εφαρμογές

Σταθεροποίηση τάσης

Απόλυτες μέγιστες εκτιμήσεις

Tj=25℃

Παράμετρος	Όροι δοκιμής	Σύμβολο	Αξία	Μονάδα
Διασκεδασμός δύναμης	Τ_amb≤75℃	PV	410	MW
Ζ-ρεύμα		Iz	Pv/Vz	μΑ
Θερμοκρασία συνδέσεων		Tj	150	℃
Σειρά θερμοκρασίας αποθήκευσης		Tstg	-55~+150	℃

Μέγιστη θερμική αντίσταση

Παράμετρος	Όροι δοκιμής	Σύμβολο	Αξία	Μονάδα
Σύνδεση περιβαλλοντική	I=9.5mm (3/8 ") Τ_L=constant	Ρ_thJA	300	K/W

Ηλεκτρικά χαρακτηριστικά

Tj=25℃

Παράμετρος	Όροι δοκιμής	Τύπος	Σύμβολο	Λ.	Τύπος	Max	Μονάδα
Μπροστινή τάση	Ι_F=10mA		Β_Φ			0,9	Β

Τύπος	Χαρακτηρισμός	Vznom	Ι_ZT για το Β_ZT και ρ_zjT			ρ_zjT στο Ι_ZK		Ι_Ρ ΣΤΟ Β_Ρ		TK_VZ
BZX84C	Χαρακτηρισμός	Β	μΑ	Β¹⁾	Ω	Ω	μΑ	μA	Β	%/K
2V4	Z11	2.4	5	2.2~2.6	<100	<600	1	<50	1	-0.09~-0.06
2V7	Z12	2.7	5	2.5~2.9	<100	<600	1	<20	1	-0.09~-0.06
3V0	Z13	3.0	5	2.8~3.2	<95	<600	1	<10	1	-0.08~-0.05
3V3	Z14	3.3	5	3.1~3.5	<95	<600	1	<5	1	-0.08~-0.05
3V6	Z15	3.6	5	3.4~3.8	<90	<600	1	<5	1	-0.08~-0.05
3V9	Z16	3.9	5	3.7~4.1	<90	<600	1	<3	1	-0.08~-0.05
4V3	W9	4.3	5	4.0~4.6	<90	<600	1	<3	1	-0.06~-0.03
4V7	Z1	4.7	5	4.4~5.0	<80	<500	1	<3	2	0.05~+0.02
5V1	Z2	5.1	5	4.8~5.4	<60	<480	1	<2	2	0.02~+0.02
5V6	Z3	5.6	5	5.2~6.0	<40	<400	1	<1	2	0.05~+0.05
6V2	Z4	6.2	5	5.8~6.6	<10	<150	1	<3	4	0.03~0.06
6V8	Z5	6.8	5	6.4~7.2	<15	<80	1	<2	4	0.03~0.07
7V5	Z6	7.5	5	7.0~7.9	<15	<80	1	<1	5	0.03~0.07
8V2	Z7	8.2	5	7.7~8.7	<15	<80	1	<0.7	5	0.03~0.08
9V1	Z8	9.1	5	8.5~9.6	<15	<100	1	<0.5	6	0.03~0.09
10	Z9	10	5	7.7~8.7	<20	<150	1	<0.2	7	0.03~0.1
11	Y1	11	5	10.4~11.6	<20	<150	1	<0.1	8	0.03~0.11
12	Y2	12	5	11.4~12.7	<25	<150	1	<0.1	8	0.03~0.011
13	Y3	13	5	12.4~14.1	<30	<170	1	<0.1	8	0.03~0.011
15	Y4	15	5	13.8~15.6	<30	<200	1	<0.05	10.5	0.03~0.011
16	Y5	16	5	15.3~17.1	<40	<200	1	<0.05	11.2	0.03~0.011
18	Y6	18	5	16.8~19.1	<45	<225	1	<0.05	12.6	0.03~0.011
20	Y7	20	5	18.8~21.2	<55	<225	1	<0.05	14	0.03~0.011
22	Y8	22	5	20.8~23.3	<55	<250	1	<0.05	15.4	0.04~0.012
24	Y9	24	5	22.8~25.6	<70	<250	1	<0.05	16.8	0.04~0.012
27	Y10	27	5	25.1~28.9	<80	<300	1	<0.05	18.9	0.04~0.012
30	Y11	30	5	28~32	<80	<300	1	<0.05	21	0.04~0.012
33	Y12	33	5	31~35	<80	<325	1	<0.05	23.1	0.04~0.012
36	Y13	36	5	34~38	<90	<350	1	<0.05	25.2	0.04~0.012
39	Y14	39	2.5	37~41	<130	<350	0,5	<0.05	27.3	0.04~0.012
43	Y15	43	2.5	40~46	<150	<375	0,5	<0.05	30.1	0.04~0.012
47	Y16	47	2.5	44~50	<170	<375	0,5	<0.05	32.9	0.04~0.012
51	Y17	51	2.5	48~54	<180	<400	0,5	<0.05	35.7	0.04~0.012
56	Y18	56	2.5	52~60	<200	<425	0,5	<0.05	39.2	0.04~0.012
62	Y19	62	2.5	58~66	<215	<450	0,5	<0.05	43.4	0.04~0.012
68	Y20	68	2.5	64~72	<240	<475	0,5	<0.05	47.6	0.04~0.012
75	Y21	75	2.5	70~79	<255	<500	0,5	<0.05	52.5	0.04~0.012

Μέγεθος

Η υψηλή επιφάνεια αξιοπιστίας τοποθετεί τη δίοδο 2.4-75V BZX84C2V4-BZX84C75 Zener 0

Τι μπορεί εμείς εσείς από XUYANG;

Καλύτερη υπηρεσία: με 10 έτη η εμπειρία στο εξάγον προσωπικό πωλήσεων θα σας συντηρήσει.

Υψηλός - ποιότητα: βοήθεια εσείς για να αποφύγει τον κίνδυνο.

Σύντομη παράδοση: βοήθεια εσείς για να κερδίσει χρόνο.

Ανταγωνιστική τιμή: η τιμή δεν είναι η χαμηλότερη αλλά υψηλότερη απόδοση δαπανών

OEM/ODM: είμαστε βέβαιοι ότι μπορούμε να σας συναντήσουμε απαιτήσεις OEM/ODm.

ετικέτα:

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Bixia Wu

Άλλα προϊόντα

Γρασίδι-123 η επιφάνεια BZT52C2V4-BZT52C43 τοποθετεί τη δίοδο

Αριθμός μερών: BZT52C2V4-BZT52C43
Δύναμη: 200mW
Τάση: 2.4-43V
Συσκευασία: Γρασίδι-123

3W δίοδος σειράς δύναμης 3EZ πυριτίου ΕΜΒΥΘΙΣΗΣ

Αριθμός μερών: 3EZ3.9D5 - 3EZ200D5
Δύναμη: 3W
Τάση: 3.9-200V
ΠΕΡΙΠΤΩΣΗ: -41

Γρασίδι-323 δίοδος BZT52C2V4S-BZT52C43S 12v Smd Zener

Αριθμός μερών: BZT52C2V4S-BZT52C43S
Δύναμη: 200mW
Τάση: 2.4-43V
Συσκευασία: Γρασίδι-323

500mW ΓΡΑΣΙΔΙ -123 γρήγορη δίοδος BZT52C2V4-BZT52C43 αποκατάστασης 1206 συσκευασίας

Αριθμός μερών: BZT52C2V4-BZT52C43
Δύναμη: 500mW
Τάση: 2.4-43V
Συσκευασία: Γρασίδι-123

3W η επιφάνεια τοποθετεί τη δίοδο 1SMB5913BT3G Zener πυριτίου μέσω 1SMB5956BT3G με 3,3 - 200 βολτ

Αριθμός μερών: 1SMB5913BT3G μέσω 1SMB5956BT3G
Δύναμη: 3 Watt
Τάση: 3.3-200V
Συσκευασία: SMB/DO-214AA